二极管半导体设备的伏安特性

2021-07-22 14:28:57

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二极管半导体设备伏安特性是指二极管流过的电流与二极管两端电压之间的关系曲线。

(1) 正向特性

当VD＞0 即处于正向特性区域，正向区又分为两段：

①当0＜VD＜Vth时，外电场不足以克服PN结的内电场，

正向电流为零，Vth称为死区或开启电压

②当VD＞Vth时，内电场大为削弱，

开始出现正向电流，并按指数规律增长。

Si二极管的死区电压Vth=0.5 V左右，Ge二极管的死区电压Vth=0.1 V左右。

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(2)反向特性

当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。

(3)反向击穿特性

当PN结的反向电压增加到一定数值时（VD ≤VBR），反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。

硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大

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